pMOS — технология производства полупроводниковых элементов. На её основе строились элементы памяти, такие, как Intel 1702, К505РР1. Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — лавинный пробой p-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах. По теоретическим данным ячейка могла хранить информацию до 10 лет.
Värsked postitused
Most Used Categories
- Arhiiv (7,667)
- Muu (2,865)
- Uudiseid (884)
- Huumor (656)
- Kultuur (268)
- Meeldib.ee (95)
- Tervis (61)
- Anekdoodid (41)
You must be logged in to post a comment.