pMOS — технология производства полупроводниковых элементов. На её основе строились элементы памяти, такие, как Intel 1702, К505РР1. Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — лавинный пробой p-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах. По теоретическим данным ячейка могла хранить информацию до 10 лет.
Värsked postitused
- Eesti noortekoondislane pääses Slovakkia kõrgliigas põhikoosseisu
- VAATA OTSE | Eksperimentaalse koosseisuga Eesti läheb teatesõidus üllatama
- Sharm el-Sheikhi lendas sõjaväe rakett
- USA asepresident: Euroopa on sooritamas enesetappu
- Imelik kuklavalu andis märku ootamatust haigusest: „Mulle pandi diagnoos, mis oli uskumatu ja ehmatav.“
Most Used Categories
- Arhiiv (7,779)
- Muu (2,865)
- Uudiseid (938)
- Huumor (664)
- Kultuur (297)
- Meeldib.ee (103)
- Tervis (70)
- Anekdoodid (41)